Wafer – (주)하나로티알

4개 결과 출력

Silicon Wafer 0.625mm(Thickness), Purity : 99.999%.PrimeGradeP-TypedopedwithBoron.Singlecrystal.Orientation1-0-0.Resistance14-25Ohm/cm	Silicon Wafer 수량	Send Enquiry for Silicon Wafer 연락처 담당자가 문의에 대해 이메일 / 전화로 연락하도록 허용합니다. (이 사이트에서 데이터를 처리하는 방법에 대해 자세히 알고 싶다면 privacy policy를 참조하십시오.) 문의해 주셔서 감사합니다.
Silicon Wafer 0.625mmT 0.625 mm (thickness), Purity : 99.999%. Prime GradeN-Type doped with Phosphorus. Single crystal. Orientation 1-0-0. Resistance 1-5 Ohm/cm	Silicon Wafer 0.625mmT 수량	Send Enquiry for Silicon Wafer 0.625mmT 연락처 담당자가 문의에 대해 이메일 / 전화로 연락하도록 허용합니다. (이 사이트에서 데이터를 처리하는 방법에 대해 자세히 알고 싶다면 privacy policy를 참조하십시오.) 문의해 주셔서 감사합니다.
Silicon Wafer 0.625mmT 0.625 mm (thickness), Purity : 99.999%. Prime GradeP-Type doped with Boron. Single crystal. Orientation 1-0-0. Resistance 14-25 Ohm/cm	Silicon Wafer 0.625mmT 수량	Send Enquiry for Silicon Wafer 0.625mmT 연락처 담당자가 문의에 대해 이메일 / 전화로 연락하도록 허용합니다. (이 사이트에서 데이터를 처리하는 방법에 대해 자세히 알고 싶다면 privacy policy를 참조하십시오.) 문의해 주셔서 감사합니다.
Stoichiometric LPCVD Nitride on Silicon Wafers Thickness range: 100Å – 4500Å Sides processed: Both Refractive index: 2.00 +/-.05 @632nm Film stress: >800MPa Tensile Stress Wafer size: 1" -12″inches Temperature: 800C° Gases: Dichlorosilane, Ammonia Equipment: Horizontal vacuum furnace	Stoichiometric LPCVD Nitride on Silicon Wafers 수량	Send Enquiry for Stoichiometric LPCVD Nitride on Silicon Wafers 연락처 담당자가 문의에 대해 이메일 / 전화로 연락하도록 허용합니다. (이 사이트에서 데이터를 처리하는 방법에 대해 자세히 알고 싶다면 privacy policy를 참조하십시오.) 문의해 주셔서 감사합니다.